Respuestas ópticas en pozos cuánticos asimétricos de tipo hiperbólico bajo el efecto de campos electromagnéticos externos

Abstract

En el presente trabajo, se investigan teóricamente algunas propiedades ópticas relacionadas con las transiciones entre subbandas en pozos cuánticos asimétricos de tipo hiperbólico de profundidad finita. El uso de una configuración de potencial hiperbólico explicaría el potencial de confinamiento real (no abrupto) en la heteroestructura, en el caso de crecimiento modulado o cuando la difusión de la composición a través de las interfaces resulta ser relevante. En la investigación, se considera la presencia de campos electromagnéticos aplicados externamente. Los estados de la banda de conducción de electrones se determinan dentro de la banda parabólica, una aproximación de masa efectiva. Con la información de la estructura electrónica disponible, es posible evaluar la absorción de luz lineal y no lineal de tercer orden y los coeficientes de cambio del índice de refracción relativo, de la expresión que surge en el marco del enfoque de matriz de densidad compacta. De acuerdo con el resultado teórico, se encuentra que: (i) Existe una influencia significativa de la configuración estructural sobre la magnitud y la posición del pico resonante de los coeficientes ópticos totales. (ii) Bajo el efecto de aumentar los campos eléctricos y magnéticos externos, las posiciones de energía pico se desplazan hacia valores más altos, mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico. De acuerdo con el resultado teórico, se encuentra que: (i) Existe una influencia significativa de la configuración estructural sobre la magnitud y la posición del pico resonante de los coeficientes ópticos totales. (ii) Bajo el efecto de aumentar los campos eléctricos y magnéticos externos, las posiciones de energía pico se desplazan hacia valores más altos, mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico. De acuerdo con el resultado teórico, se encuentra que: (i) Existe una influencia significativa de la configuración estructural sobre la magnitud y la posición del pico resonante de los coeficientes ópticos totales. (ii) Bajo el efecto de aumentar los campos eléctricos y magnéticos externos, las posiciones de energía pico se desplazan hacia valores más altos, mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico. (i) Existe una influencia significativa de la configuración estructural en la magnitud y la posición del pico resonante de los coeficientes ópticos totales. (ii) Bajo el efecto de aumentar los campos eléctricos y magnéticos externos, las posiciones de energía pico se desplazan hacia valores más altos, mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico. (i) Existe una influencia significativa de la configuración estructural en la magnitud y la posición del pico resonante de los coeficientes ópticos totales. (ii) Bajo el efecto de aumentar los campos eléctricos y magnéticos externos, las posiciones de energía pico se desplazan hacia valores más altos, mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico. mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica, y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico. mientras que su amplitud disminuye para el caso de absorción óptica, y la de la variación relativa del índice de refracción se reduce. De estos resultados se puede concluir que tanto la modificación del perfil de confinamiento como la presencia de campos eléctricos y / o magnéticos son herramientas adecuadas para controlar la respuesta óptica de pozos cuánticos de semiconductores asimétricos de tipo hiperbólico.